典型文献
一种基于ASM-HEMT模型改进陷阱效应的GaN HEMT器件非线性模型
文献摘要：
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受制于陷阱效应,建立准确的非线性模型非常困难.介绍了表面势物理基高电子迁移率高级电路模型(ASM-HEMT),分析了标准ASM-HEMT模型在表征陷阱效应方面的不足,进而建立了新的陷阱模型电路拓扑及模型方程,新陷阱模型可以更好地表征器件陷阱俘获和释放电子的不对称性.基于0.25 μm GaN HEMT器件,进行了脉冲I-V、多偏置S参数、负载牵引仿真及测试,并对新模型进行参数提取和建模.经过对比仿真和测试结果发现,新模型的仿真结果与实测结果比标准ASM-HEMT模型更加吻合,说明新模型表征陷阱效应更加准确,提升了模型的准确性,进而提高GaN HEMT功率放大器设计仿真的准确性.
文献关键词：
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT);高电子迁移率高级电路模型(ASM-HEMT);非线性模型;陷阱效应;电流崩塌效应
中图分类号：
作者姓名：
李静强;赵哲言;王生国;付兴中;魏碧华
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;专用集成电路重点实验室,石家庄 050051
文献出处：
引用格式：
[1]李静强;赵哲言;王生国;付兴中;魏碧华-.一种基于ASM-HEMT模型改进陷阱效应的GaN HEMT器件非线性模型)[J].半导体技术,2022(12):972-978,1026
A类：
电流崩塌效应
B类：
ASM,HEMT,模型改进,陷阱效应,GaN,非线性模型,高电子迁移率晶体管,受制于,电路模型,电路拓扑,模型方程,俘获,不对称性,偏置,负载牵引,参数提取,实测结果,模型表征,功率放大器
AB值：
0.20838
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