典型文献
超快响应GaN半导体光导开关的研制
文献摘要：
半导体光导开关(PCSS)利用半导体材料的高耐压、快速响应与高迁移率等特性,可产生大功率超窄脉冲信号.利用半绝缘GaN材料制备了异面斜对电极PCSS,通过去除芯片侧边金属化合物来减小暗态电阻,提升了 PCSS暗态耐压并降低暗态漏电,采用绝缘导热封装提升器件的耐压与可靠性,研制了快拆式测试电路与夹具,实现储能、触发与低寄生同轴输出功能,提升了高频测试准确度与高频响应能力.搭建了高压宽带PCSS测试系统,测量开关线性工作特性,在5 kV偏置电压、触发激光脉冲波长为532 nm、能量为5 mJ下,GaN PCSS在50 Ω负载上输出超快脉冲信号电压峰峰值大于2 kV,脉冲信号上升沿小于88 ps.
文献关键词：
GaN;半导体光导开关(PCSS);窄脉冲信号;异面结构;超快响应
中图分类号：
作者姓名：
陈湘锦;刘京亮;段雪;银军;吴洪江
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051
文献出处：
引用格式：
[1]陈湘锦;刘京亮;段雪;银军;吴洪江-.超快响应GaN半导体光导开关的研制)[J].半导体技术,2022(12):960-964
A类：
异面结构
B类：
超快响应,GaN,光导开关,PCSS,半导体材料,耐压,快速响应,高迁移率,大功率,窄脉冲信号,半绝缘,材料制备,对电极,侧边,金属化合物,漏电,导热,热封,封装,提升器,测试电路,夹具,寄生,同轴,高频响,响应能力,宽带,测试系统,开关线,工作特性,kV,偏置电压,激光脉冲,mJ,出超,快脉冲,信号电压,峰峰,ps
AB值：
0.377269
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