典型文献
车用SiC半桥模块并联均流设计与试制
文献摘要：
SiC芯片并联均流是影响车用SiC半桥模块可靠性的关键问题.寄生电感的不一致是造成芯片间电流不均衡的主要原因.首先,在ANSYS Simplorer中建立了芯片双脉冲仿真电路,分别研究了漏极、源极和栅极寄生电感对芯片间均流性的影响.然后,采用混合优化的均流方法设计并制作了一个多芯片并联的SiC半桥模块,其中,功率端子采用双端结构以减小寄生电感;栅极采用开尔文连接结构以提高芯片开关速度;对芯片位置进行优化使各并联回路的寄生电感尽可能均匀分布.在ANSYS Q3D中提取的主回路寄生电感为6.5 nH;在Simplorer中进行仿真,电流不均衡度小于3％.实物测试结果表明,主回路寄生电感为10 nH,电流不均衡度小于5％,验证了该车用SiC半桥模块并联均流设计的可行性.
文献关键词：
SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET);并联均流;寄生电感;直接覆铜(DBC)基板;封装结构
中图分类号：
作者姓名：
安光昊;谭会生;戴小平;张泽
作者机构：
湖南工业大学轨道交通学院,湖南株洲 412007;湖南国芯半导体科技有限公司,湖南株洲 412001
文献出处：
引用格式：
[1]安光昊;谭会生;戴小平;张泽-.车用SiC半桥模块并联均流设计与试制)[J].半导体技术,2022(10):809-816,838
A类：
B类：
车用,SiC,半桥,并联均流,试制,寄生电感,Simplorer,双脉冲,栅极,混合优化,方法设计,一个多,多芯,端子,双端,开尔文,连接结构,均匀分布,Q3D,主回路,nH,均衡度,实物测试,该车,金属氧化物半导体场效应晶体管,MOSFET,DBC,基板,封装结构
AB值：
0.309427
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
