典型文献
原子层沉积技术生长单质钨薄膜
文献摘要：
采用热型原子层沉积(ALD)技术在单晶硅基底上成功制备了单质钨薄膜.利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、掠入射X射线衍射仪(GIXRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、四探针测试仪对样品的生长速率、晶体结构、薄膜成分以及电阻率进行了表征和分析.结果表明,热型原子层沉积技术生长单质钨薄膜的温度窗口为200～250℃,生长的薄膜呈多晶态,由较小粒径的颗粒组成,具有(210)晶面择优取向.XPS测试表明薄膜中W 4f7/2、W 4f5/2及W 5p3/2的特征峰分别位于31.5～31.6、33.5～33.7及36.9～37.1 eV结合能位置处,主要含有W、C、O等元素.生长的单质钨薄膜为β相钨,电阻率为1.6×10-4～3.0×10-4Ω·cm.
文献关键词：
原子层沉积(ALD);钨;电阻率;多晶薄膜;β相
中图分类号：
作者姓名：
王浙加;冯嘉恒;夏洋;明帅强;屈芙蓉
作者机构：
中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心,浙江嘉兴 314000;嘉兴科民电子设备技术有限公司,浙江嘉兴 314000;中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室,北京 100029
文献出处：
引用格式：
[1]王浙加;冯嘉恒;夏洋;明帅强;屈芙蓉-.原子层沉积技术生长单质钨薄膜)[J].半导体技术,2022(09):699-703
A类：
4f7,4f5,5p3
B类：
原子层沉积,沉积技术,单质,钨薄膜,热型,ALD,单晶硅,硅基底,上成,场发射扫描电子显微镜,FESEM,掠入射,GIXRD,光电子能谱,能谱仪,XPS,四探针,测试仪,生长速率,晶体结构,电阻率,温度窗口,晶态,小粒径,颗粒组成,晶面,择优取向,测试表明,特征峰,eV,结合能,多晶薄膜
AB值：
0.383093
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