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LPCVD制备多晶硅薄膜的性能
文献摘要：
对低压化学气相沉积(LPCVD)制备多晶硅薄膜的生长工艺与钝化性能进行研究,重点分析了沉积温度、硅烷体积流量和沉积时间对薄膜生长和钝化性能的影响.在590-635℃沉积温度内,多晶硅薄膜生长速率与沉积温度近似呈线性关系,钝化性能随着沉积温度的增加先变优再变差;在250-1150 cm3/min硅烷体积流量内,多晶硅薄膜的生长速率与硅烷体积流量基本呈线性关系,当硅烷体积流量为1150 cm3/min时,钝化性能明显变差;随着多晶硅薄膜厚度增加,钝化性能先变优后稳定.使用优化后的工艺制备多晶硅薄膜样品并对其进行测试,测试结果表明样品的隐性开路电压为749 mV,饱和电流密度为1.46fA/cm2,钝化性能最佳.
文献关键词：
低压化学气相沉积(LPCVD);多晶硅薄膜;生长工艺;钝化性能;生长速率
中图分类号：
作者姓名：
马红娜;李锋;赵学玲;史金超;张伟
作者机构：
英利能源(中国)有限公司,河北保定 071051;英利能源发展有限公司,河北保定 071051
文献出处：
引用格式：
[1]马红娜;李锋;赵学玲;史金超;张伟-.LPCVD制备多晶硅薄膜的性能)[J].半导体技术,2022(08):630-635
A类：
46fA
B类：
LPCVD,多晶硅薄膜,低压化学气相沉积,生长工艺,钝化性能,沉积温度,硅烷,体积流量,沉积时间,薄膜生长,生长速率,cm3,薄膜厚度,使用优化,工艺制备,开路电压,mV,饱和电流,电流密度
AB值：
0.179484
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