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浮空p柱结构的超结IGBT器件的设计
文献摘要：
针对传统结构超结IGBT器件在大电流应用时的电导调制效应较弱,削弱了 IGBT器件低饱和导通压降优点的问题,设计了 p柱浮空的超结IGBT器件(FP-SJ-IGBT).采用深槽刻蚀和回填工艺制备了 p柱和p体区分离的超结IGBT器件.测试结果表明,该器件击穿电压高于660 V,在导通电流20 A时,其饱和导通压降为1.7 V,相比于传统超结IGBT器件更低,关断能量为0.23 mJ,远低于传统超结IGBT器件的3.3 mJ,较低的导通压降和关断能量使得FP-SJ-IGBT器件的电流密度可达449 A/cm2.此外,在400 V直流母线电压下,FP-SJ-IGBT器件具有不低于10 μs的短路时间.
文献关键词：
浮空p柱;超结;IGBT;寄生双极结型晶体管;电导调制
中图分类号：
作者姓名：
吴玉舟;李泽宏;禹久赢;潘嘉;陈冲;任敏
作者机构：
电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054;上海超致半导体科技有限公司,上海 201203;上海华虹宏力半导体制造有限公司,上海 201203
文献出处：
引用格式：
[1]吴玉舟;李泽宏;禹久赢;潘嘉;陈冲;任敏-.浮空p柱结构的超结IGBT器件的设计)[J].半导体技术,2022(08):606-611
A类：
寄生双极结型晶体管
B类：
浮空,超结,IGBT,大电流,电导调制效应,导通压降,FP,SJ,深槽,刻蚀,回填,工艺制备,击穿电压,通电,降为,关断,mJ,电流密度,直流母线电压,短路
AB值：
0.244723
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