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HfO2薄膜的亲疏水性对石墨烯沉积的影响
文献摘要：
研究了在不同表面润湿性的HfO2薄膜上沉积石墨烯的质量,判断了不同表面能大小碳原子的沉积方向.采用电子束工艺制备不同生长时间的HfO2薄膜,经过静态接触角测量可知,所有HfO2薄膜均为疏水性,且随着薄膜厚度的增加,表面疏水性加强.再通过等离子体化学气相沉积工艺在HfO2样品表面制备石墨烯薄膜.通过拉曼测试得出,表面中性润湿性基底对于碳沉积密度贡献不大;表面微疏水性基底对于碳原子总沉积量增益不大,但是对于形成sp2轨道的碳碳双键则增强明显,原因主要是由于碳原子在表面横向迁移的作用增强,从而形成大面积石墨烯薄膜.
文献关键词：
HfO2薄膜;石墨烯;掠入射X射线衍射;表面接触角;等离子体化学气相沉积
中图分类号：
作者姓名：
樊瑞祥;王伟;刘姗;杨玉帅;王凯
作者机构：
河北工业大学 电子信息工程学院, 天津 300401;天津市电子材料与器件重点实验室, 天津 300401
文献出处：
引用格式：
[1]樊瑞祥;王伟;刘姗;杨玉帅;王凯-.HfO2薄膜的亲疏水性对石墨烯沉积的影响)[J].电子元件与材料,2022(12):1307-1311,1323
A类：
B类：
HfO2,亲疏水性,表面润湿性,积石,表面能,碳原子,沉积方向,电子束,工艺制备,生长时间,静态接触角,薄膜厚度,表面疏水性,等离子体化学气相沉积,表面制备,石墨烯薄膜,拉曼,试得,碳沉积,沉积密度,沉积量,sp2,碳碳双键,横向迁移,掠入射,表面接触角
AB值：
0.320862
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