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高介薄型陶瓷芯片电容制备工艺研究
文献摘要：
研究了高介薄型陶瓷芯片电容的金属化和微小元件的精密切割工艺.分别采用TiW/Au层、TiW/Ni/Au层和TaN/TiW/Au层制备电极,并采用电容器绝缘电阻的偏压特性和温度特性、电容器电容量和介电损耗的温度特性表征了电容在电极金属化工艺中不同电极材料对高介薄型陶瓷电容器性能的影响,优选出了电极制备的膜系结构.通过选择刀具类型,优化切割固定方法,本工作有效规避了切割崩边和卷边问题,实现了微小元件的精密切割,成功制备出一种性能优异的高介薄型陶瓷芯片电容器.
文献关键词：
高介薄型陶瓷;小型化;电极金属化;精密切割工艺
中图分类号：
作者姓名：
王春富;黎俊宇;李彦睿;王文博;张健;秦跃利;钟朝位
作者机构：
中国电子科技集团公司第二十九研究所,四川 成都 610036;中国移动通信集团海南有限公司,海南 海口 570000;电子科技大学,四川 成都 610054
文献出处：
引用格式：
[1]王春富;黎俊宇;李彦睿;王文博;张健;秦跃利;钟朝位-.高介薄型陶瓷芯片电容制备工艺研究)[J].电子元件与材料,2022(09):1001-1006
A类：
高介薄型陶瓷,精密切割工艺,TiW,电极金属化
B类：
制备工艺,小元件,Au,TaN,备电,绝缘电阻,偏压,温度特性,电容量,介电损耗,电极材料,陶瓷电容器,电容器性能,电极制备,膜系,刀具,固定方法,卷边,种性,小型化
AB值：
0.224768
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