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ATMP在钴互连集成电路钴膜CMP中的作用机理研究
文献摘要：
为了提高钴互连集成电路钴膜化学机械平坦化(CMP)中钴的去除速率以及Co/TiN去除速率选择性,研究了氨基三甲叉膦酸(ATMP)作为络合剂,在钴互连集成电路钴膜CMP中的作用机理.通过CMP、电化学、X射线电子光谱等实验探究了ATMP的络合性能,采用X射线电子光谱以及密度泛函理论的建模仿真对ATMP在抛光液中的络合机理进行了深入分析.实验结果表明:ATMP的添加不同程度地加快了钴和氮化钛腐蚀,可以有效地提高钴互连集成电路钴膜CMP的去除速率以及Co/TiN去除速率选择性;X射线电子光谱实验显示ATMP的络合作用可以降低钴表面氧化层的厚度;根据密度泛函理论计算结果可以发现,ATMP中的磷酸基团为活性位点,与晶圆表面金属离子形成络合物,从而实现快速去除.可见ATMP可以作为络合剂应用于钴布线钴膜CMP制程.
文献关键词：
钴;平坦化;络合;ATMP;密度泛函理论
中图分类号：
作者姓名：
王昊;黄浩真;曹静伟;夏荣阳;潘国峰
作者机构：
河北工业大学 电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130
文献出处：
引用格式：
[1]王昊;黄浩真;曹静伟;夏荣阳;潘国峰-.ATMP在钴互连集成电路钴膜CMP中的作用机理研究)[J].电子元件与材料,2022(09):968-973
A类：
连集
B类：
ATMP,互连,集成电路,CMP,化学机械平坦化,去除速率,Co,TiN,速率选择性,络合剂,电子光谱,实验探究,建模仿真,真对,抛光液,氮化钛,光谱实验,络合作用,表面氧化,氧化层,密度泛函理论计算,基团,活性位点,晶圆,金属离子,络合物,布线,制程
AB值：
0.267838
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