典型文献
一种具有子沟槽结构的屏蔽栅MOSFET的研究
文献摘要：
为了降低屏蔽栅沟槽型(SGT,Shield Gate Trench)MOSFET的导通电阻、提高器件的品质因数,通常使用增加屏蔽栅沟槽深度和密度的方法,但是在刻蚀高密度深沟槽时会使晶圆产生严重的翘曲现象.因此,提出一种100 V具有子沟槽(ST,Sub-Trench)的SGT(ST-SGT)器件结构.在相邻的主沟槽间插入子沟槽后,显著降低了器件栅极附近的电场峰值,避免栅氧化层出现过早击穿,同时较浅的子沟槽提升了外延层纵向电场分布的均匀性,改善了高密度深沟槽带来的晶圆翘曲问题.通过使用Sentaurus TCAD仿真软件,调节子沟槽深度和上层外延层电阻率两个重要参数,对ST-SGT进行优化设计.结果表明,当子沟槽深度为2.5μm、上层外延电阻率为0.23Ω·cm时,对应的ST-SGT的品质因数(FOM,Figure of Merit)最大,此时击穿电压为135.8 V,特征导通电阻为41.4 mΩ·mm2.优化后的ST-SGT与传统SGT相比,其FOM提高了19.6％.
文献关键词：
屏蔽栅沟槽型MOSFET;电荷平衡;击穿电压;特征导通电阻;品质因数
中图分类号：
作者姓名：
朱晨凯;赵琳娜;顾晓峰;周锦程;杨卓
作者机构：
江南大学 电子工程系 物联网技术应用教育部工程研究中心, 江苏 无锡 214122;无锡新洁能股份有限公司, 江苏 无锡 214122
文献出处：
引用格式：
[1]朱晨凯;赵琳娜;顾晓峰;周锦程;杨卓-.一种具有子沟槽结构的屏蔽栅MOSFET的研究)[J].电子元件与材料,2022(06):621-626
A类：
特征导通电阻
B类：
沟槽结构,屏蔽,MOSFET,槽型,SGT,Shield,Gate,Trench,品质因数,刻蚀,深沟,晶圆,翘曲现象,ST,Sub,器件结构,栅极,栅氧化层,过早,较浅,外延层,电场分布,Sentaurus,TCAD,节子,电阻率,重要参数,FOM,Figure,Merit,击穿电压,mm2,电荷平衡
AB值：
0.333296
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