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典型文献
高温下In0.83Al0.17As/In0.83Ga0.17As红外探测器特性分析
文献摘要:
非冷却热探测器的性能在光谱检测应用中仍需要提高.为了降低热噪声和减小暗电流,实现器件的高温工作性能,本文通过将器件的倍增层和吸收层分离设计后,选用In0.83 Al0.17 As作为倍增层材料,利用仿真软件Silvaco-TCAD,详细探究了不同温度对器件暗电流和光响应度的影响规律.结果表明,在高温160~300 K范围内,随着温度的升高,器件的暗电流增大,光响应度呈现先增大后减小的变化.利用公式进一步计算出,-500 mV和300 K时,器件的暗电流密度为0.485 A/cm2,1.5μm处的峰值响应度为1.818 A/W,零偏置微分电阻面积为0.053Ω·cm2,比探测率为3.26×109 cm·Hz1/2·W-1.
文献关键词:
红外探测;高温工;暗电;光响应;比探测率
作者姓名:
杜鹏飞;叶伟
作者机构:
陕西理工大学机械工程学院,陕西 汉中723001
文献出处:
引用格式:
[1]杜鹏飞;叶伟-.高温下In0.83Al0.17As/In0.83Ga0.17As红外探测器特性分析)[J].激光与红外,2022(09):1378-1383
A类:
83Ga0
B类:
In0,83Al0,17As,红外探测器,光谱检测,检测应用,低热,热噪声,高温工作,工作性能,倍增,分离设计,Silvaco,TCAD,光响应度,利用公式,mV,暗电流密度,零偏,偏置,比探测率,Hz1
AB值:
0.320143
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