典型文献
硅含量对硅铝合金电子封装材料性能的影响
文献摘要：
以热等静压方法成形的 AlSi12、AlSi27、AlSi35、AlSi42、AlSi50、AlSi60、AlSi70、A1Si80系列的硅铝合金电子封装材料为研究对象,对Si含量对材料的金相组织、热物理性能、力学性能等的影响进行分析评估.结果发现,随着Si含量的增加,合金材料的密度、热导率、热膨胀系数(CTE)、断后伸长率降低,刚度、硬度提高;当Si的质量分数不大于60％时,随着Si含量的增加,材料强度提高,Si颗粒由点状或蠕虫状变为球状或片状,且分布均匀、独立.当Si的质量分数大于60％时,材料强度降低,Si颗粒逐渐连接成骨架基体.
文献关键词：
硅铝合金;电子封装材料;物理性能;力学性能;金相组织
中图分类号：
作者姓名：
李海军;宗福春;胡增武;李云飞;彭文佳;齐敬
作者机构：
河北新立中有色金属集团有限公司,河北保定 071100
文献出处：
引用格式：
[1]李海军;宗福春;胡增武;李云飞;彭文佳;齐敬-.硅含量对硅铝合金电子封装材料性能的影响)[J].电子与封装,2022(12):17-22
A类：
AlSi27,AlSi35,AlSi42,AlSi50,AlSi60,AlSi70,A1Si80
B类：
硅含量,硅铝合金,电子封装材料,材料性能,热等静压,AlSi12,金相组织,热物理性能,分析评估,合金材料,热导率,热膨胀系数,CTE,断后伸长率,材料强度,点状,蠕虫,球状,连接成,成骨
AB值：
0.240176
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