典型文献
一种基于基板埋入技术的SiC功率模块封装及可靠性优化设计
文献摘要：
以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体(亦称宽禁带半导体)材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高以及抗辐射能力强等优点.其中SiC功率器件及模块已经逐渐成为特高压柔性电网、5G移动通信基础设施、高速轨道交通、新能源汽车、航空航天装备、数据中心等"新基建"核心领域的"关键核芯".我国"十四五"规划和2035年远景目标纲要明确指出:以SiC为代表的宽禁带半导体是事关国家安全和发展全局的基础核心领域,是需要集中优势资源攻关的领域关键核心技术.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
樊嘉杰;侯峰泽
作者机构：
文献出处：
引用格式：
[1]樊嘉杰;侯峰泽-.一种基于基板埋入技术的SiC功率模块封装及可靠性优化设计)[J].电子与封装,2022(07):73-74
A类：
B类：
基板,埋入,SiC,功率模块,模块封装,可靠性优化设计,碳化硅,氮化镓,GaN,第三代半导体,宽禁带半导体,禁带宽度,击穿,热导率,和速率,抗辐射,辐射能力,功率器件,特高压,移动通信,通信基础设施,新能源汽车,航空航天,航天装备,数据中心,新基建,心领,远景目标,明确指出,优势资源,关键核心技术
AB值：
0.452339
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