典型文献
轨道交通碳化硅器件研究进展
文献摘要：
随着轨道交通硅基功率器件性能逐渐逼近理论极限,碳化硅功率器件成为重点研究方向,以满足轨道交通系统对高功率密度、低损耗和高可靠性等要求.综述了轨道交通领域碳化硅MOSFET和SBD的芯片、混合碳化硅模块和全碳化硅模块的发展概况,并展望了碳化硅芯片和模块的技术发展趋势.介绍了碳化硅MOSFET芯片向沟槽栅、集成SBD和提升可靠性和迁移率等方向发展的趋势.全碳化硅器件、低杂散电感结构、低热阻基板和高可靠性烧结层的研究对碳化硅模块的发展至关重要.
文献关键词：
轨道交通;碳化硅;MOSFET;全碳化硅模块
中图分类号：
作者姓名：
李诚瞻;周才能;秦光远;宋瓘;陈喜明
作者机构：
株洲中车时代半导体有限公司,湖南株洲 412000;新型功率半导体器件国家重点实验室,湖南株洲 412000
文献出处：
引用格式：
[1]李诚瞻;周才能;秦光远;宋瓘;陈喜明-.轨道交通碳化硅器件研究进展)[J].电子与封装,2022(06):13-26
A类：
全碳化硅模块
B类：
碳化硅器件,硅基,功率器件,器件性能,逼近,近理,轨道交通系统,高功率密度,低损耗,高可靠性,交通领域,MOSFET,SBD,发展概况,硅芯,技术发展趋势,沟槽,提升可靠性,迁移率,低杂散,杂散电感,低热,热阻,基板,烧结
AB值：
0.285829
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