典型文献
超高压碳化硅N沟道IGBT器件的设计与制造
文献摘要：
自主设计和制备了 一种耐压超过20 kV的超高压碳化硅(SiC)N沟道绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)器件.通过仿真设计优化了器件结构,同时结合自支撑衬底剥离技术、背面激光退火技术以及载流子寿命提升技术,成功在N型SiC衬底上制备了 SiC N沟道IGBT器件.测试结果表明,该器件阻断电压为20.08 kV时,漏电流为50μA.当栅电极施加20V电压,集电极电流为20 A时,器件的导通电压为6.0 V,此时器件的微分比导通电阻为27 mΩ·m2.该值仅为15 kV SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)比导通电阻的1/7,充分显示出SiC N沟道IGBT器件作为双极型器件在高阻断电压、高导通电流密度等方面的突出优势.
文献关键词：
碳化硅;N沟道IGBT;超高压;载流子寿命提升技术
中图分类号：
作者姓名：
杨晓磊;李士颜;赵志飞;李赟;黄润华;柏松
作者机构：
南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室,南京 210016
文献出处：
引用格式：
[1]杨晓磊;李士颜;赵志飞;李赟;黄润华;柏松-.超高压碳化硅N沟道IGBT器件的设计与制造)[J].电子与封装,2022(04):10-15
A类：
载流子寿命提升技术,高导通电流
B类：
超高压,碳化硅,沟道,IGBT,设计与制造,自主设计,耐压,kV,SiC,绝缘栅双极晶体管,Insulated,Gate,Bipolar,Transistor,仿真设计,器件结构,自支撑,衬底,剥离技术,背面,激光退火,断电,漏电流,20V,集电极,电极电流,导通电压,比导通电阻,金属氧化物半导体场效应晶体管,Metal,Oxide,Semiconductor,Field,Effect,MOSFET,双极型,电流密度,突出优势
AB值：
0.344528
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