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用于GaN HEMT栅驱动芯片的快速响应LDO电路
文献摘要：
设计了一种用于GaN高电子迁移率晶体管(High-Electron-Mobility Transistor,HEMT)器件栅驱动芯片的快速响应低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)电路,可为高速变化的数字电路提供快速响应的供电电压.该电路采用动态偏置结构,通过在大负载发生时给误差放大器增加一个额外的动态偏置结构,来加快输出端的瞬态响应速度.基于0.18 μm BCD工艺,完成了电路设计验证.仿真结果显示LDO瞬态响应时间小于0.5 μs,可满足频率达1 MHz的GaN HEMT器件栅驱动芯片应用要求.
文献关键词：
高电子迁移率晶体管;栅驱动;低压差线性稳压器;快速响应
中图分类号：
作者姓名：
陈恒江;周德金;何宁业;汪礼;陈珍海
作者机构：
无锡中微爱芯电子有限公司,江苏无锡214072;复旦大学微电子学院,上海200443;清华大学无锡应用技术研究院,江苏无锡214072;黄山学院智能微系统安徽省工程技术研究中心,安徽黄山245041
文献出处：
引用格式：
[1]陈恒江;周德金;何宁业;汪礼;陈珍海-.用于GaN HEMT栅驱动芯片的快速响应LDO电路)[J].电子与封装,2022(02):50-53
A类：
栅驱动
B类：
GaN,HEMT,驱动芯片,快速响应,LDO,高电子迁移率晶体管,High,Electron,Mobility,Transistor,低压差线性稳压器,Low,Dropout,Regulator,速变,数字电路,供电电压,动态偏置,大负载,误差放大器,输出端,瞬态响应,响应速度,BCD,电路设计,设计验证,响应时间,MHz,芯片应用,应用要求
AB值：
0.344651
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