典型文献
SiC MOSFET短路保护技术综述
文献摘要：
随着电力电子技术的飞速发展,SiC MOSFET以优异的材料特性在高频、高压、高温电力电子应用中展现了显著的优势.然而,SiC MOSFET较高的开关速度与较弱的短路承受能力对短路保护技术带来了新的挑战.该文首先介绍SiC MOSFET不同短路类型以及短路测试方法;其次对SiC MOSFET短路失效模式及失效机理进行分析;然后详细梳理现有SiC MOSFET短路检测与短路关断技术的原理与优缺点,讨论现有SiC MOSFET短路保护技术在应用中存在的问题与挑战;最后对SiC MOSFET短路保护技术的发展趋势进行展望.
文献关键词：
SiC MOSFET;短路测试;短路失效;短路保护
中图分类号：
作者姓名：
文阳;杨媛;宁红英;张瑜;高勇
作者机构：
西安理工大学自动化与信息工程学院 西安 710048;西安思源学院工学院 西安 710038
文献出处：
引用格式：
[1]文阳;杨媛;宁红英;张瑜;高勇-.SiC MOSFET短路保护技术综述)[J].电工技术学报,2022(10):2538-2548
A类：
B类：
SiC,MOSFET,短路保护,保护技术,技术综述,电力电子技术,材料特性,电子应用,承受能力,短路测试,短路失效,失效模式,失效机理,短路检测,关断,问题与挑战
AB值：
0.258898
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