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牺牲层释放工艺CMUT电容值精确计算方法
文献摘要：
为了精确计算牺牲层释放工艺制造的容性微机械超声传感器(CMUT)的电容值,本文考虑了这类器件支撑壁会在外力作用下发生变形,将器件的薄膜形变控制方程对应的边界条件设置成弹性边界条件,才可以精确计算薄膜形变,进而可以精确计算CMUT电容.制造过程中设计了对照器件可以用于去掉寄生电容影响.实验结果证明了弹性边界条件的结果更加准确.
文献关键词：
电容性微机械超声传感器;电容;参考器件;弹性边界条件;解析解模型;牺牲层释放工艺
中图分类号：
作者姓名：
王久江;刘成业;余远昱;李尧;刘鑫
作者机构：
内江师范学院人工智能学院,四川 内江 641100;内江市神经疾病信息干扰工程技术研究中心,内江师范学院,四川 内江 641100;澳门大学,模拟与混合信号超大规模集成电路国家重点实验室,澳门 999078;澳门大学科技学院电机与电脑工程系,澳门 999078
文献出处：
引用格式：
[1]王久江;刘成业;余远昱;李尧;刘鑫-.牺牲层释放工艺CMUT电容值精确计算方法)[J].山西电子技术,2022(06):21-23
A类：
牺牲层释放工艺,电容性微机械超声传感器,参考器件
B类：
CMUT,电容值,外力作用,形变控制,控制方程,设置成,弹性边界条件,制造过程,中设计,去掉,寄生电容,解析解模型
AB值：
0.193405
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