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P 型 SiGe Core-shell FinFET 器件性能的仿真研究
文献摘要：
随着传统的平面金属-氧化物半导体场效应管(MOSFET)特征尺寸逐渐缩小到20nm以下,栅极氧化物厚度减小,栅极对沟道区域的控制能力减弱.而非传统的多栅结构器件对电荷有很好的控制能力,改善因等比例缩小所引起的各种效应.本文基于GTS TCAD仿真软件,对SiGe Core-shell FinFET器件的内外层沟道Six Ge1-x组分配比进行仿真.仿真结果表明,当inner Ge组分为0,outer Ge组分为0.5时,器件性能获得最大收益,并将SiGe Core-shell FinFET器件与Si-FinFET、Ge-FinFET器件进行比较.研究结果表明,SiGe Core-shell FinFET器件Idsat相比于Si-FinFET有2.3倍的提升,亚阈值摆幅(Subthreshold swing,SS)大约有 30mV/dec 的下降.
文献关键词：
FinFET;SiGe;Core-Shell;饱和电流;空穴浓度
中图分类号：
作者姓名：
杨至真;闫江;吴振华
作者机构：
北方工业大学;中国科学院微电子研究所
文献出处：
引用格式：
[1]杨至真;闫江;吴振华-.P 型 SiGe Core-shell FinFET 器件性能的仿真研究)[J].中国集成电路,2022(03):33-37,53
A类：
Ge1,Idsat,Subthreshold,30mV
B类：
SiGe,Core,shell,FinFET,器件性能,仿真研究,氧化物半导体,场效应管,MOSFET,特征尺寸,20nm,栅极,沟道,控制能力,非传统,电荷,等比例,GTS,TCAD,外层,Six,组分配比,inner,outer,最大收益,亚阈值摆幅,swing,SS,dec,Shell,饱和电流,空穴浓度
AB值：
0.39085
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