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基于90 nm InP HEMT工艺的220 GHz功率放大器设计
文献摘要：
基于90 nm InP HEMT工艺,设计了一款220 GHz功率放大器太赫兹单片集成电路,该放大器采用片上威尔金森功分器结构实现了两路五级共源放大器的功率合成.在片测试结果表明,200～230 GHz频率范围内,功率放大器小信号增益平均值18 dB.频率为210～230 GHz范围内该MMIC放大器饱和输出功率优于15.8 mW,在223 GHz时最高输出功率达到20.9 mW,放大器芯片尺寸为2.18 mm×2.40 mm.
文献关键词：
铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT);功率放大器(PA);太赫兹集成电路(TMIC)
中图分类号：
作者姓名：
陈艳;孟范忠;方园;张傲;高建军
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051;华东师范大学物理与电子科学学院,上海200241
文献出处：
引用格式：
[1]陈艳;孟范忠;方园;张傲;高建军-.基于90 nm InP HEMT工艺的220 GHz功率放大器设计)[J].红外与毫米波学报,2022(06):1037-1041
A类：
TMIC
B类：
InP,HEMT,GHz,功率放大器,太赫兹,单片集成电路,威尔金森,功分器,两路,五级,功率合成,在片测试,小信号,信号增益,dB,MMIC,饱和输出功率,mW,高输出,功率达,芯片尺寸,高电子迁移率晶体管,PA
AB值：
0.320618
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