典型文献
钝化膜应力对锑化铟器件性能的影响
文献摘要：
随着InSb红外探测器关键尺寸的不断缩小,钝化膜应力的大小对器件I-V性能的影响越发明显.为了降低探测器芯片的应力,研究了 一种由SiO2和SiON组成的复合钝化膜体系.通过改变气体的射频时间,在InSb晶片上淀积厚度分别为300 nm、500 nm、700nm和900nm的钝化膜,测量并计算了不同厚度钝化膜的应力.当厚度为700 nm时,钝化膜的应力最小值为-1.78 MPa.研究了具有不同应力钝化膜的器件的I-V特性,发现厚度为700 nm时InSb芯片具有更加优异的I-V特性.通过调整复合钝化膜的厚度,降低了钝化膜的应力,有效地提升了 InSb探测器的性能.
文献关键词：
复合钝化膜;应力;InSb红外探测器;伏安特性
中图分类号：
作者姓名：
米南阳;宁提;李忠贺;崔建维
作者机构：
华北光电技术研究所,北京100015
文献出处：
引用格式：
[1]米南阳;宁提;李忠贺;崔建维-.钝化膜应力对锑化铟器件性能的影响)[J].红外,2022(12):26-29
A类：
SiON,复合钝化膜
B类：
锑化铟,器件性能,InSb,红外探测器,关键尺寸,SiO2,晶片,700nm,900nm,最小值,整复,伏安特性
AB值：
0.197124
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