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A位Ce掺杂对CaBi4Ti4O15铋层状高温压电陶瓷电性能的影响研究
文献摘要：
采用固相反应法制备了CexCa1?xBi4Ti4O15(CCBT,x=0,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10)铋层状高温压电陶瓷,研究了A位Ce掺杂对陶瓷晶体结构、微观结构、介电、压电性能的影响规律.结果表明:所有样品的主晶相均具有m=4的铋层状结构,当x≥0.08时,出现Bi2Ti2O7焦绿石杂相.当Ce掺杂量x=0.06时,样品具有最高的压电常数(d33=17 pC·N?1),是纯CBT陶瓷(d33=8 pC·N?1)的两倍以上.同时,该陶瓷还具有居里温度高(Tc=773℃)、室温下介电损耗低(tanδ=0.7％)、电阻率高(ρ=6.4×107Ω·cm@500℃)的特点,且在550℃退火后,其d33仍保持14.2 pC·N?1,超过室温值的80％,是制作高温压电传感器的理想陶瓷材料.
文献关键词：
无铅压电陶瓷;铋层状结构;CaBi4Ti4O15;高温传感器
中图分类号：
作者姓名：
伍子成;沈宗洋;宋福生;骆雯琴;王竹梅;李月明
作者机构：
景德镇陶瓷大学 材料科学与工程学院,中国轻工业功能陶瓷材料重点实验室,江西省能量存储与转换陶瓷材料工程实验室,江西 景德镇 333403
文献出处：
引用格式：
[1]伍子成;沈宗洋;宋福生;骆雯琴;王竹梅;李月明-.A位Ce掺杂对CaBi4Ti4O15铋层状高温压电陶瓷电性能的影响研究)[J].陶瓷学报,2022(02):296-301
A类：
CaBi4Ti4O15,高温压电陶瓷,CexCa1,xBi4Ti4O15,Bi2Ti2O7
B类：
固相反应法,CCBT,晶体结构,压电性能,有样,主晶相,铋层状结构,压电常数,d33,pC,两倍,居里温度,温度高,Tc,介电损耗,tan,电阻率,退火,压电传感器,陶瓷材料,无铅压电陶瓷,高温传感器
AB值：
0.266224
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