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分子束外延P-on-N HgCdTe As扩散调控研究
文献摘要：
对分子束外延(MBE)生长的原位As掺杂HgCdTe外延材料的热退火造成的As扩散控制进行研究.在较低的退火温度下获得了As扩散长度可控的HgCdTe材料,易于形成符合设计参数的PN结轮廓,为后续新型焦平面器件的研发提供基础.研究发现,在热退火过程中,原位As掺杂HgCdTe的As浓度的大小和纵向分布随着不同的Hg分压而发生改变.并通过理论计算获得了不同Hg分压下的As扩散系数.同时,通过数值模拟对不同As扩散长度的P-on-N器件结构进行了暗电流模拟,验证了As掺杂结深推进工艺的重要性.
文献关键词：
碲镉汞;As扩散;热退火;暗电流
中图分类号：
作者姓名：
沈川;杨辽;刘仰融;卜顺栋;王高;陈路;何力
作者机构：
中科院上海技术物理研究所红外材料与器件重点实验室,上海200083;国科大杭州高等研究院,浙江杭州310024
文献出处：
引用格式：
[1]沈川;杨辽;刘仰融;卜顺栋;王高;陈路;何力-.分子束外延P-on-N HgCdTe As扩散调控研究)[J].红外与毫米波学报,2022(05):799-803
A类：
B类：
分子束外延,on,HgCdTe,调控研究,MBE,热退火,扩散控制,退火温度,设计参数,PN,焦平面器件,扩散系数,器件结构,暗电流,电流模,结深,碲镉汞
AB值：
0.312285
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