典型文献
国内申请三维NAND闪存技术专利分析
文献摘要：
3D NAND闪存与2D NAND闪存在存储架构上虽然有比较明显的差异,但是其存储单元的基本物理结构组成是相同的.在3D NAND存储器结构中,采用垂直堆叠多层数据存储单元的方式,实现堆叠式的3D NAND存储器结构.在3D NAND Flash中,多位存储单元可被编程于多阶编程阈值电压的其中之一阶,以实现一个多位存储单元可以存储多个不同数据的目的.闪存获取的数据由存储单元中电荷数量的多少决定当用户写入的电荷与读出的电荷数量不一致时,就有可能发生数据访问错误,出现可靠性问题.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
陈敏;邢白灵
作者机构：
国家知识产权局专利局专利审查协作江苏中心
文献出处：
引用格式：
[1]陈敏;邢白灵-.国内申请三维NAND闪存技术专利分析)[J].中国科技信息,2022(12):26-27
A类：
B类：
NAND,闪存,技术专利,专利分析,2D,存储架构,存储单元,本物,物理结构,结构组成,存储器,多层数据,数据存储,堆叠式,Flash,多阶,阈值电压,一个多,电荷,定当,当用,写入,读出,数据访问
AB值：
0.413007
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
