典型文献
SiC用多线切割技术与设备的发展现状与趋势
文献摘要：
介绍了SiC用多线切割宏观切割机理与微观切割机理,指出控制钢线张力减少钢线震动是切割工艺的重要指标.讨论了切割过程主要影响因素,钢线的外包铜会造成SiC片表面金属残留,钢线磨损影响SiC片厚度,砂浆喷嘴和线网角度在形成水平薄膜层时能够获得好的表面质量.分析了钢线带动砂浆进行切割的核心工艺,给出了SiC片切割工艺理论切片量的计算方法.并简要概括了目前多线切割技术及设备的国内外发展形势和未来发展趋势,指出未来多线切割技术将朝着提高加工精度与加工效率、降低成本、改良切割用钢线这几个方向迈进.
文献关键词：
多线切割;碳化硅片;半导体材料;钢线张力;砂浆
中图分类号：
[3]
自然科学总论（N）
作者姓名：
董同社;靳永吉
作者机构：
中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京 100176
文献出处：
引用格式：
[1]董同社;靳永吉-.SiC用多线切割技术与设备的发展现状与趋势)[J].电子工业专用设备,2022(03):1-7,13
A类：
钢线张力,碳化硅片
B类：
SiC,多线切割,技术与设备,发展现状与趋势,切割机理,震动,割过,外包,砂浆,喷嘴,线网,膜层,表面质量,线带,核心工艺,国内外发展,发展形势,高加,加工精度,加工效率,降低成本,半导体材料
AB值：
0.233663
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