典型文献
鳍工艺的自对准四重图形化技术研究与应用
文献摘要：
阐述CMOS技术进入深纳米工艺节点,鳍式场效应晶体管以其优异的电学性能成为目前的主流器件.当工艺发展到Fin周期小于40nm时,开展自对准四重图形化技术研究,以实现场效应晶体管的鳍结构显得尤为重要.探讨北方华创公司的NMC 612D刻蚀机,开发了完整的鳍自对准四重图形化集成工艺流程,优化了关键刻蚀工艺.研究得到的形貌优化后具有24nm周期的鳍透射电子显微镜(TEM)截面图显示,所得鳍结构的特征尺寸均匀性、线宽/线边粗糙度和周期漂移等关键工艺指标都达到要求.
文献关键词：
集成电路制造;自对准四重图形化;鳍式场效应晶体管;刻蚀工艺
中图分类号：
作者姓名：
胡少坚;杨渝书;王伯文
作者机构：
上海集成电路研发中心有限公司,上海 201210
文献出处：
引用格式：
[1]胡少坚;杨渝书;王伯文-.鳍工艺的自对准四重图形化技术研究与应用)[J].集成电路应用,2022(06):14-16
A类：
自对准四重图形化,612D
B类：
图形化技术,CMOS,鳍式场效应晶体管,电学性能,工艺发展,Fin,40nm,北方华创,NMC,刻蚀工艺,形貌优化,24nm,透射电子显微镜,TEM,截面图,特征尺寸,尺寸均匀性,线宽,粗糙度,漂移,关键工艺,工艺指标,集成电路制造
AB值：
0.307281
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
