典型文献
InyAl1-yAs线性渐变缓冲层对InP基HEMT材料性能的影响
文献摘要：
采用气体源分子束外延(GSMBE)技术,研究了InP衬底上InyAl1-yAs线性渐变缓冲层对In0.66Ga0.34As/InyAl1-yAs高迁移率晶体管(HEMT)材料特性影响.研究了不同厚度和不同铟含量的InyAl1-yAs线性渐变缓冲层对材料的表面质量、电子迁移率和二维电子气浓度的影响.结果表明,在300 K(77 K)时,电子迁移率和电子浓度分别为8570 cm2/(Vs)-1(23200 cm2/(Vs)-1)3.255E12 cm-2(2.732E12 cm-2).当InyAl1-yAs线性渐变缓冲层厚度为50 nm时,材料的表面形貌得到了很好的改善,均方根粗糙度(RMS)为0.154 nm.本研究可以为HEMT器件性能的提高提供强有力的支持.
文献关键词：
InyAl1-yAs线性渐变缓冲层;磷化铟;高电子迁移率场效应晶体管
中图分类号：
作者姓名：
田方坤;艾立鹍;孙国玉;徐安怀;黄华;龚谦;齐鸣
作者机构：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所中科院太赫兹固态技术重点实验室,上海200050;中国科学院大学材料科学与光电子工程中心,北京100049;海南师范大学材料科学与光电工程研究中心,海南海口571158
文献出处：
引用格式：
[1]田方坤;艾立鹍;孙国玉;徐安怀;黄华;龚谦;齐鸣-.InyAl1-yAs线性渐变缓冲层对InP基HEMT材料性能的影响)[J].红外与毫米波学报,2022(04):726-732
A类：
InyAl1,yAs,GSMBE,66Ga0,34As,255E12,732E12,高电子迁移率场效应晶体管
B类：
线性渐变,缓冲层,InP,HEMT,材料性能,体源,分子束外延,衬底,In0,高迁移率晶体管,材料特性,表面质量,二维电子气,气浓,电子浓度,Vs,表面形貌,粗糙度,RMS,器件性能,磷化铟
AB值：
0.217078
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