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溅射法制备n型碲化镉薄膜的光电化学特性研究
文献摘要：
采用溅射法制备了n型碲化镉薄膜.研究了不同沉积时间制备的n型碲化镉薄膜的形貌、结构和光学性质,以及薄膜厚度和退火工艺对n型碲化镉薄膜光电化学特性的影响.实验结果表明,溅射时间为25 min的碲化镉薄膜具有较好的PEC性能.退火工艺可以提高沉积的n型碲化镉薄膜的光电化学性能.当用饱和氯化镉溶液涂覆碲化镉薄膜并在真空中400℃退火时,n型碲化镉薄膜的光电化学性能最佳,光电流达到301μA/cm2.
文献关键词：
碲化镉;溅射;光电化学;退火
中图分类号：
作者姓名：
曹萌;虞斌;张翔;许成刚;张珊;孙丽颖;谭小宏;姜昱丞;豆家伟;王林军
作者机构：
中广核工程有限公司核电安全监控技术与装备国家重点实验室,广东深圳,518172;上海大学材料科学与工程学院,上海200072;中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料和探测器实验室,上海200083;杨浦区市东医院重症监护科室,上海200438;苏州科技大学物理科学与技术学院,江苏苏州215009;上海大学(浙江)高端装备基础件材料研究院,浙江嘉善314113
文献出处：
引用格式：
[1]曹萌;虞斌;张翔;许成刚;张珊;孙丽颖;谭小宏;姜昱丞;豆家伟;王林军-.溅射法制备n型碲化镉薄膜的光电化学特性研究)[J].红外与毫米波学报,2022(04):659-667
A类：
B类：
溅射法,碲化镉薄膜,电化学特性,沉积时间,光学性质,薄膜厚度,退火工艺,溅射时间,PEC,光电化学性能,当用,氯化镉,涂覆,光电流
AB值：
0.183531
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