典型文献
p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件技术研究
文献摘要：
As注入掺杂的p-on-n结构器件具有暗电流小、R0A值高、少子寿命长等优点,是长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件发展的重要趋势.介绍了由昆明物理研究所研究制备的77 K温度下截止波长为9.5μm、10.1μm和71 K下14.97μm的p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件,对器件的响应率、NETD、暗电流及R0A等性能参数进行测试分析.测试结果表明,器件的有效像元率在99.78％～99.9％之间,器件的NETD均小于21 mK.实现了p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件的有效制备.
文献关键词：
碲镉汞红外探测器;p-on-n长波器件;焦平面性能测试;NETD;暗电流
中图分类号：
作者姓名：
李立华;熊伯俊;杨超伟;李雄军;万志远;赵鹏;刘湘云
作者机构：
昆明物理研究所,昆明650223
文献出处：
引用格式：
[1]李立华;熊伯俊;杨超伟;李雄军;万志远;赵鹏;刘湘云-.p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件技术研究)[J].红外与毫米波学报,2022(03):534-539
A类：
焦平面性能测试
B类：
on,甚长波,红外焦平面器件,暗电流,R0A,少子寿命,寿命长,重要趋势,截止波长,响应率,NETD,性能参数,测试分析,mK,碲镉汞红外探测器
AB值：
0.17827
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