典型文献
一种InP HEMT分布小信号模型建模方法
文献摘要：
提出了一种用于InP高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的分布式小信号等效电路建模方法.在采用的模型中考虑了分布电容效应,通过加入三个分布电容来表征.为了精确建模,在提取寄生电容时考虑到寄生电感引入的误差,首先提取了寄生电感.在达到50 GHz的InP HEMT中,小信号建模方法的有效性得到了验证.此外,在2～50 GHz频率范围内,S参数建模误差小于4％,这也证明了所提出建模方法的高建模精度.
文献关键词：
分布式模型;小信号模型;模型参数;提取方法;高电子迁移率晶体管
中图分类号：
作者姓名：
戚军军;吕红亮;程林;张玉明;张义门;赵锋国;段兰燕
作者机构：
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体技术国防重点学科实验室,陕西西安710071;中兴通讯股份有限公司,广东深圳518057
文献出处：
引用格式：
[1]戚军军;吕红亮;程林;张玉明;张义门;赵锋国;段兰燕-.一种InP HEMT分布小信号模型建模方法)[J].红外与毫米波学报,2022(02):511-516
A类：
B类：
InP,HEMT,小信号模型,高电子迁移率晶体管,high,electron,mobility,transistor,小信号等效电路,电路建模,中考,分布电容,电容效应,精确建模,寄生电容,寄生电感,GHz,小信号建模,参数建模,建模误差,建模精度,分布式模型
AB值：
0.356651
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