典型文献
氮对MPCVD单晶金刚石生长与含量研究进展
文献摘要：
微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术被认为是制备高纯单晶金刚石的首选方法.然而因为氮原子的半径与碳的原子半径相近,容易成为单晶金刚石生长层中的主要杂质,是阻碍MPCVD单晶金刚石推广应用的原因之一.经过国内外研究团队的对氮与MPCVD单晶金刚石的生长与氮杂质含量控制研究取得了一些结果.但是除此之外还需要解决氮掺杂提速与控制单晶金刚石生长层中氮杂质含量的控制统一问题,才能实现MPCVD单晶金刚石的高端领域应用.
文献关键词：
MPCVD;单晶金刚石;氮含量;生长形貌
中图分类号：
作者姓名：
梁凯;满卫东;龚闯;范冰庆;付萍
作者机构：
上海征世科技股份有限公司,上海 201700;武汉工程大学 等离子体化学与新材料湖北省重点实验室,湖北 武汉 430205
文献出处：
引用格式：
[1]梁凯;满卫东;龚闯;范冰庆;付萍-.氮对MPCVD单晶金刚石生长与含量研究进展)[J].超硬材料工程,2022(06):43-51
A类：
B类：
MPCVD,单晶金刚石,石生,微波等离子体化学气相沉积,高纯,原子半径,易成,研究团队,杂质含量,除此之外,氮掺杂,提速,制单,氮含量,生长形貌
AB值：
0.157575
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
