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东芝级联共源共栅技术解决GaN应用痛点
文献摘要：
和传统的硅功率半导体相比,GaN(氮化镓)和 SiC(碳化硅)有着更高的电压能力、更快的开关速度、更高的工作温度、更低导通电阻、功率耗散小、能效高等共同的优异的性能,是近几年来新兴的半导体材料.但他们也存在着各自不同的特性,简单来说,GaN的开关速度比SiC快,SiC工作电压比GaN更高.GaN的寄生参数极小,开关速度极高,比较适合高频应用,例如:电动汽车的DC-DC(直流-直流)转换电路、OBC(车载充电)、低功率开关电源以及蜂窝基站功率放大器、雷达、卫星发射器和通用射频放大器等;SiC MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)的高压高电流的能力以及易驱动特性,使其适合于大功率且高效的各类应用,例如:列车逆变器系统,工业电源、太阳能逆变器和 UPS(不间断电源)高性能开关电源等等,可以大大提升效率,功率密度等性能.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
黄文源
作者机构：
东芝电子元件(上海)有限公司半导体技术统括部技术企划部
文献出处：
引用格式：
[1]黄文源-.东芝级联共源共栅技术解决GaN应用痛点)[J].电子产品世界,2022(07):9
A类：
B类：
东芝,联共,共源共栅,GaN,氮化镓,SiC,碳化硅,工作温度,导通电阻,耗散,近几年来,半导体材料,速度比,工作电压,压比,寄生参数,极小,电动汽车,DC,换电,OBC,车载充电,低功率,开关电源,蜂窝,基站,功率放大器,发射器,MOSFET,氧化物半导体,场效应晶体管,驱动特性,大功率,列车,逆变器,UPS,不间断电源,能开,提升效率,功率密度
AB值：
0.415806
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