典型文献
一种带输出监测的简单快速高压脉冲源
文献摘要：
基于高速金属氧化物半导体场效应晶体管(metallic oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)设计了一款带输出监测的简单快速高压脉冲源,给出了设计参数和电路.该脉冲源驱动简单、体积小、输出幅度可由使用的高压电源调整、电流能达60 A及输出脉冲宽度和频率由输入信号确定.最小脉冲宽度为4.53 ns,250 V/30 A时,前沿为2.28 ns,后沿为3.34 ns,具有输出短路保护及电容、电感、负载调整能力,主要应用于高速成像的像增强器阴极快门.
文献关键词：
高压脉冲源;高速成像;MOSFET;像增强器;快脉冲
中图分类号：
作者姓名：
郭明安;刘璐;郭耀军;严明;李刚;周二瑞;杨少华;刘偲
作者机构：
西北核技术研究所,西安710024;中核核电运行管理有限公司,浙江海盐314300
文献出处：
引用格式：
[1]郭明安;刘璐;郭耀军;严明;李刚;周二瑞;杨少华;刘偲-.一种带输出监测的简单快速高压脉冲源)[J].现代应用物理,2022(02):32-36,41
A类：
高压脉冲源
B类：
金属氧化物半导体场效应晶体管,metallic,oxide,semiconductor,field,effect,transistor,MOSFET,设计参数,源驱动,体积小,输出幅度,高压电源,出脉冲,脉冲宽度,短路保护,主要应用,高速成像,像增强器,阴极,极快,快门,快脉冲
AB值：
0.328315
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