典型文献
采用滤波结构的28 nm触发器抗单粒子翻转研究
文献摘要：
基于28 nm体硅CMOS工艺,设计了双路滤波的触发器(flip-flop,FF)结构,在传统的双互锁存(dual interlocked cell,DICE)加固基础上,对数据、时钟及复位信号均引入双路滤波结构.为研究不同滤波宽度的加固效果,设计了不同的滤波梯度.试验结果表明:当LET值为13.1 MeV·cm2·mg-1的Cl离子和LET值为37.3 MeV·cm2·mg-1的Ge离子分别辐射时,对该加固触发器电路分别以不同滤波宽度对SET进行滤波,可完全抑制SEU,且滤波宽度越大,加固效果越显著.
文献关键词：
单粒子瞬态效应;滤波梯度;触发器;单粒子翻转加固;重离子试验
中图分类号：
作者姓名：
孙雨;赵元富;岳素格;王亮;李同德;苑靖爽;于春青
作者机构：
北京微电子技术研究所,北京100076;中国航天电子技术研究院,北京100094
文献出处：
引用格式：
[1]孙雨;赵元富;岳素格;王亮;李同德;苑靖爽;于春青-.采用滤波结构的28 nm触发器抗单粒子翻转研究)[J].现代应用物理,2022(01):129-134
A类：
滤波梯度,重离子试验
B类：
波结构,触发器,体硅,CMOS,双路,flip,flop,FF,互锁,锁存,dual,interlocked,cell,DICE,时钟,复位,加固效果,LET,MeV,Cl,Ge,SET,SEU,单粒子瞬态效应,单粒子翻转加固
AB值：
0.386209
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