典型文献
28 nm工艺触发器抗单粒子翻转版图加固技术
文献摘要：
为提高28nm体硅工艺下的触发器的抗SEU能力,针对28 nm集成电路的版图空间布局加固技术进行了研究,基于敏感节点对分离和电荷补偿原理,设计了 2种抗辐射加固触发器版图结构.同时设计了 3种不同敏感节点对分离距离和采用电荷补偿原理加固的触发器链,通过流片和封装后对芯片进行了抗单粒子翻转试验.试验结果表明,采用的2种版图加固方法可使单粒子翻转数下降95％以上;当入射重离子LET值为37 MeV·cm2·mg-1时,电荷补偿原理的版图加固结构抗单粒子翻转性能更强;28 nm工艺下,版图加固最优敏感节点对的距离为3倍标准单位距离.
文献关键词：
单粒子翻转;触发器;敏感节点对;单粒子加固设计;重离子试验
中图分类号：
作者姓名：
苑靖爽;赵元富;王亮;李同德;孙雨;朱永钦
作者机构：
北京微电子技术研究所,北京100076;中国航天科技集团有限公司抗辐射集成电路技术试验室 北京100094;中国航天电子技术研究院
文献出处：
引用格式：
[1]苑靖爽;赵元富;王亮;李同德;孙雨;朱永钦-.28 nm工艺触发器抗单粒子翻转版图加固技术)[J].现代应用物理,2022(01):110-115
A类：
体硅工艺,敏感节点对,单粒子加固设计,重离子试验
B类：
触发器,单粒子翻转,版图加固,加固技术,28nm,SEU,集成电路,电荷,抗辐射加固,图结构,过流,流片,封装,加固方法,转数,入射,LET,MeV,加固结构,标准单位
AB值：
0.215625
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