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重离子在SiC,GaN,Ga2O3宽禁带半导体材料及器件中的辐照效应研究
文献摘要：
针对近年来出现的新型宽禁带半导体材料和器件,介绍了 SiC,GaN,Ga2O3材料和器件重离子辐照效应的一些研究成果:SiC材料对重离子辐照不敏感,但SiC器件在高压工作条件下易发生重离子单粒子效应;GaN材料有较好的抗低能重离子辐照特性,但对快重离子辐照,易发生辐照损伤,影响GaN器件性能;Ga2O3材料快重离子辐照下易发生结构损伤,影响Ga2O3器件性能.同时着重阐述了 SiC器件重离子辐照响应特性与失效机理,以及GaN器件电学性能退化与材料结构损伤之间关系.
文献关键词：
宽禁带半导体;功率器件;SiC;GaN;Ga2O3;重离子;辐照效应
中图分类号：
作者姓名：
闫晓宇;胡培培;艾文思;翟鹏飞;赵培雄;李宗臻;刘杰
作者机构：
中国科学院近代物理研究所,兰州730000;中国科学院大学核科学与技术学院,北京100049
文献出处：
引用格式：
[1]闫晓宇;胡培培;艾文思;翟鹏飞;赵培雄;李宗臻;刘杰-.重离子在SiC,GaN,Ga2O3宽禁带半导体材料及器件中的辐照效应研究)[J].现代应用物理,2022(01):90-104
A类：
快重离子
B类：
SiC,GaN,Ga2O3,宽禁带半导体,辐照效应,半导体材料和器件,重离子辐照,不敏,工作条件,单粒子效应,辐照损伤,器件性能,照下,结构损伤,响应特性,失效机理,电学性能,性能退化,功率器件
AB值：
0.195322
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