典型文献
基于氧化石墨烯的阻变存储器制备
文献摘要：
阻变存储器是一种新型非易失性存储器,其在外加电场作用下可实现高阻态和低阻态之间的切换.存储器电极材料和活性层材料的选择及相互作用是实现器件阻变特性的主要因素.石墨烯是具有优良导电性和高延展性的二维材料,通过激光加工还原氧化石墨烯是高效获取石墨烯的极佳方法.传统存储器的制备过程复杂,不利于大规模加工制造.以金属金(Au)和还原氧化石墨烯(rGO)作为电极,氧化石墨烯(GO)作为阻变层进行器件制备,很好地实现了存储器的阻变功能.简单高效的制备方式为大规模、高集成化生产阻变存储器提供了参考.
文献关键词：
氧化石墨烯薄膜;还原氧化石墨烯;阻变材料;阻变存储器
中图分类号：
作者姓名：
陈敏;张启明
作者机构：
上海理工大学光子芯片研究院,上海 200093;上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海 200093
文献出处：
引用格式：
[1]陈敏;张启明-.基于氧化石墨烯的阻变存储器制备)[J].光学仪器,2022(06):8-13
A类：
阻变材料
B类：
阻变存储器,非易失性存储器,外加电场,电场作用,高阻态,低阻,电极材料,活性层,阻变特性,导电性,延展性,二维材料,激光加工,还原氧化石墨烯,取石,极佳,制备过程,加工制造,Au,rGO,层进,器件制备,制备方式,高集成化,氧化石墨烯薄膜
AB值：
0.284867
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