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铝掺杂对硼化锆薄膜微结构及电学性能的影响
文献摘要：
二硼化锆(ZrB2)具有优异的电学性能、热稳定性和力学性能,广泛应用于微电子产品和高温陶瓷领域,采用元素掺杂的方法可以对其成分和微观组织结构进行调控.采用磁控共溅射技术在Si(100)基底上制备了不同Al含量的ZrB2薄膜,利用X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射和四点探针仪分析了Zr-Al-B薄膜的化学成分、微结构和电学性能.研究结果表明:铝掺杂会影响硼化锆薄膜的成分和微观结构,进一步影响其电学性能.不同Al溅射功率下制得的薄膜表面平整,结构致密且为多晶结构;随着Al/Zr原子比的增加,薄膜结构从纯ZrB2晶相转变为ZrB2和Al2O3复合相;薄膜电阻率呈现先降低后上升趋势,电阻率最小为0.027Ω?cm,表明掺入少量Al可以提高硼化锆薄膜的电学性能.
文献关键词：
磁控溅射;ZrB2薄膜;Al掺杂;微观结构;电学性能
中图分类号：
作者姓名：
孟瑜;弥娟莉;李雷
作者机构：
西安文理学院 陕西省表面工程与再制造重点实验室,西安 710065;西安文理学院 西安市智能增材重点实验室,西安 710065
文献出处：
引用格式：
[1]孟瑜;弥娟莉;李雷-.铝掺杂对硼化锆薄膜微结构及电学性能的影响)[J].真空与低温,2022(05):532-536
A类：
B类：
铝掺杂,电学性能,二硼化锆,ZrB2,热稳定性,微电子,电子产品,元素掺杂,微观组织结构,共溅射,Si,光电子能谱,原子力显微镜,四点,溅射功率,多晶,原子比,薄膜结构,晶相转变,Al2O3,薄膜电阻,电阻率,先降,掺入,磁控溅射
AB值：
0.272821
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