目的:量化评估脑卒中病灶对多频电阻抗断层成像(electrical impedance tomography,EIT)边界电压谱的影响.方法:在构建具有真实人头阻抗频谱分布的三维人头模型的基础上,仿真计算3个区(额区、颞区和枕区)、3个位置(距颅脑中心远、中、近)、3种不同体积(脑体积的5％、2.5％和0.5％)和2种类型(缺血和出血)共54种脑卒中病灶引起的多频EIT边界电压谱,定量分析脑卒中发生前后的多频EIT边界电压谱变化,并对比分析缺血性和出血性脑卒中病灶对应的多频EIT边界电压谱特征.结果:缺血性脑卒中引起的多频EIT边界电压变化在10 Hz～100 kHz频段内差异最大,虚部差异最大值约为8％,而出血性脑卒中引起的多频EIT边界电压变化在200 kHz～1 MHz频段内差异最大,实部差异最大值可达1.7％.缺血性脑卒中对应的多频EIT边界电压在低频段(10 Hz～<1 kHz)变化最明显,实部变化最大值约为0.4％,虚部变化最大值约为0.5％;出血性脑卒中对应的多频EIT边界电压在高频段(100 kHz～1 MHz)变化较大,实部变化最大值约为0.6％,虚部变化最大值约为1.5％.结论:脑卒中病灶可引起多频EIT边界电压谱发生特异性改变,该研究为未来多频EIT检测脑卒中研究奠定了良好的数据基础.

脑卒中;多频电阻抗断层成像;边界电压谱;出血性脑卒中;缺血性脑卒

赵志博;代萌;付峰;曹新生;文治洪;王航;代静;王春晨;高志军;刘洋;杨琳

空军军医大学基础医学院,西安 710032;空军军医大学军事生物医学工程学系,西安 710032;空军军医大学航空航天医学系,西安 710032

医疗卫生装备

[1]赵志博;代萌;付峰;曹新生;文治洪;王航;代静;王春晨;高志军;刘洋;杨琳-.脑卒中病灶对多频EIT边界电压谱特性的影响研究)[J].医疗卫生装备,2022(03):1-7

边界电压谱,多频电阻抗断层成像

EIT,量化评估,electrical,impedance,tomography,人头,频谱分布,仿真计算,个位,颅脑,不同体积,脑体积,发生前后,出血性脑卒中,谱特征,缺血性脑卒中,电压变化,kHz,MHz,低频段,高频段,中研,数据基础

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