典型文献
Cu2+离子A位取代对MgTiO3陶瓷结构及介电性能的影响
文献摘要：
采用固相反应制备了Mg1-xCuxTiO3(0.00≤x≤0.20)微波介电陶瓷,研究CuO烧结助剂对MgTiO3陶瓷的微观结构和微波介电性能的影响.实验结果表明,CuO中的Cu2+离子会进入到MgTiO3晶格中并取代Mg2+,形成Mg1-xCuxTiO3固溶体.由于液相效应,适量的CuO可以促进MgTiO3陶瓷的致密化烧结,降低其烧结温度.Cu2+离子的A位取代会改变样品的TiO6八面体扭曲度.随着Cu2+离子含量的增加,会使MgTiO3陶瓷的结构稳定性降低.随着CuO含量的增加,晶粒的不均匀生长和液相的出现导致样品的品质因数(Qf)下降.同时,Mg,-xCuxTiO3陶瓷的相对密度、结构稳定性和平均共价度的降低也会恶化陶瓷的Qf值.样品的介电常数(εr)与离子极化率、杂相和TiO6八面体扭曲度相关.样品的谐振频率温度系数(τf)随TiO6八面体扭曲度的增加而减小.当x=0.08时,样品可在1150℃实现致密化烧结,且τf值改善至-3.4×10-5℃-1.
文献关键词：
微波介电陶瓷;结构;介电性能
中图分类号：
作者姓名：
杨习志;杨帆;赖元明;李宝阳;王凡硕;苏桦
作者机构：
成都理工大学机电工程学院,成都 610059;电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054
文献出处：
引用格式：
[1]杨习志;杨帆;赖元明;李宝阳;王凡硕;苏桦-.Cu2+离子A位取代对MgTiO3陶瓷结构及介电性能的影响)[J].无机化学学报,2022(04):599-610
A类：
xCuxTiO3,微波介电陶瓷
B类：
Cu2+,MgTiO3,固相反应,应制,Mg1,CuO,烧结助剂,微波介电性能,子会,晶格,Mg2+,固溶体,致密化,烧结温度,变样,TiO6,八面体,扭曲度,离子含量,结构稳定性,晶粒,品质因数,Qf,相对密度,共价,介电常数,离子极化率,谐振频率,频率温度系数
AB值：
0.254412
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