典型文献
基于GaAs pHEMT的1.0～2.4 GHz放大衰减多功能芯片
文献摘要：
基于0.25μm GaAs赝高电子迁移晶体管(pHEMT)工艺,研制了一种1.0～2.4 GHz的放大衰减多功能芯片,该芯片具有低噪声、高线性度和增益可数控调节等特点.电路由第一级低噪声放大器、4位数控衰减器、第二级低噪声放大器依次级联构成,同时在片上集成了TTL驱动电路.为获得较大的增益和良好的线性度,两级低噪声放大器均采用共源共栅结构(Cascode).测试结果表明,在1.0～2.4 GHz频带范围内,该芯片基态小信号增益约为36 dB,噪声系数小于1.8 dB,输出1 dB压缩点功率大于16 dBm,增益调节范围为15 dB,调节步进1 dB,衰减RMS误差小于0.3 dB,输入输出电压驻波比小于1.5.其中放大器采用单电源+5 V供电,静态电流小于110 mA,TTL驱动电路采用-5 V供电,静态功耗小于3 mA.整个芯片的尺寸为3.5 mm×1.5 mm×0.1 mm.
文献关键词：
GaAs赝高电子迁移率晶体管(pHEMT);共源共栅结构;放大衰减多功能芯片
中图分类号：
作者姓名：
韩思扬;张坤;周平;蒋冬冬
作者机构：
四川省宽带微波电路高密度集成工程研究中心,四川 成都 610036
文献出处：
引用格式：
[1]韩思扬;张坤;周平;蒋冬冬-.基于GaAs pHEMT的1.0～2.4 GHz放大衰减多功能芯片)[J].电子工艺技术,2022(02):90-93,108
A类：
放大衰减多功能芯片
B类：
GaAs,pHEMT,GHz,高线性度,可数,路由,第一级,级低,低噪声放大器,数控衰减器,第二级,次级,片上集成,TTL,驱动电路,两级,共源共栅结构,Cascode,频带,片基,基态,小信号,信号增益,噪声系数,dBm,RMS,输入输出,输出电压,电压驻波比,中放,单电源,+5,静态电流,mA,静态功耗,高电子迁移率晶体管
AB值：
0.314194
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