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利用电容-电压法研究GaN基双异质结发光二极管的结构特点
文献摘要：
本文利用电容-电压法(C-V法)研究GaN基蓝光发光二极管的双异质结构,将测得的样品C-V曲线由变化中心处分为两部分,分别分析其PN结类型.接着通过液氮对二极管进行温度控制,得到不同温度下的C-V曲线及其对应的杂质浓度分布曲线,分析温度对两者的影响.最后由不同温度下的杂质浓度分布曲线,分析GaN基蓝光发光二极管的双异质结构.实验结果表明该GaN基双异质结蓝光二极管的PN结类型两边都为突变结,在不同温度下,样品的电容值随温度的升高呈增大趋势.双异质结构随温度的降低逐渐显著,当T=98 K时,双异质结构趋于理想情况.
文献关键词：
C-V法;GaN基蓝光二极管;双异质结构
中图分类号：
作者姓名：
范千千;徐坤熠;符斯列
作者机构：
华南师范大学物理与电信工程学院,广东广州 510006;华南师范大学物理学科基础课程国家级实验教学示范中心,广东广州 510006
文献出处：
引用格式：
[1]范千千;徐坤熠;符斯列-.利用电容-电压法研究GaN基双异质结发光二极管的结构特点)[J].大学物理,2022(05):69-73
A类：
双异质结构
B类：
GaN,结发,发光二极管,蓝光,处分,PN,液氮,温度控制,杂质浓度,浓度分布,分布曲线,两边,电容值
AB值：
0.149815
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