典型文献
2D/3D混合Sn基钙钛矿/SnO2异质结光探测器
文献摘要：
制备了平面结构2D/3D混合钙钛矿(PEA)0.15FA0.85SnI3/SnO2异质结光探测器.研究发现,SnO2薄膜的引入可以调控(PEA)0.15FA0.85SnI3薄膜的晶体生长过程,有助于获得致密的连续薄膜.在520 nm单色光辐照下,器件的响应度高达3.19×105 A/W,相应的探测率为6.39×1015 Jones.在808 nm单色光辐照下,器件的响应度和探测器率也可分别达到1.70×104 A/W和7.28×1013 Jones.相关性能明显高于(PEA)0.15FA0.85SnI3单层薄膜光探测器.器件性能的提高一方面是由于钙钛矿薄膜表面形貌的改善,提高了器件的吸收效率和载流子收集效率;另一方面是由于(PEA)0.15FA0.85SnI3和SnO2之间形成了p-n结结构,从而有效提高了钙钛矿薄膜中的光生电子-空穴对的分离效率,降低了电子和空穴的复合几率.同时,(PEA)0.15FA0.85SnI3/SnO2界面处特殊的能级结构也可诱导器件产生光电导增益.
文献关键词：
光探测器;Sn基钙钛矿;异质结;2D/3D混合结构;SnO2
中图分类号：
作者姓名：
苏子生;张璐;胡跃;姚广平;王丽丹
作者机构：
泉州师范学院物理与信息工程学院 福建省先进微纳光子技术与器件重点实验室,福建 泉州 362000;泉州师范学院 化工与材料学院,福建 泉州 362000
文献出处：
引用格式：
[1]苏子生;张璐;胡跃;姚广平;王丽丹-.2D/3D混合Sn基钙钛矿/SnO2异质结光探测器)[J].发光学报,2022(07):1121-1129
A类：
15FA0,85SnI3
B类：
2D,SnO2,异质结,光探测器,平面结构,PEA,晶体生长,生长过程,单色光,辐照,照下,响应度,探测率,Jones,相关性能,器件性能,高一,钙钛矿薄膜,表面形貌,吸收效率,载流子,结结,光生电子,空穴,分离效率,几率,能级结构,生光,光电导,混合结构
AB值：
0.250908
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