典型文献
电子阻挡层Al组分对GaN基蓝光激光二极管光电性能的影响
文献摘要：
采用SiLENSe(Simulator of light emitters based on nitride semiconductors)软件仿真研究了Alx Iny Ga1-x-y N电子阻挡层(EBL)Al组分渐变方式对GaN基激光二极管(LD)光电性能的影响,实现了提高输出功率和电光转换效率的目的.文中提出的四种Al组分渐变方式分别是传统均匀组分、右阶梯渐变组分(0～0.07～0.16)、三角形渐变组分(0～0.16～0)、左阶梯渐变组分(0.16～0.07～0).结果表明,与传统均匀组分EBL结构相比,Al组分阶梯渐变Alx Iny Ga1-x-y N EBL LD导带底的电子势垒显著提高,价带顶的空穴势垒降低.这主要是由于该结构能有效抑制电子泄漏和提高空穴注入效率,从而提高有源区载流子浓度,进而提高有源区辐射复合效率.当注入电流为0.48 A时,采用Al组分阶梯渐变AlxInyGa1-x-yN EBL结构能将器件开启电压从5.1 V降至4.9 V,光学损耗从3.4 cm-1降至3.29 cm-1,从而使光输出功率从335 mW提高至352 mW,电光转换效率从12.5％提高至13.4％.此外,讨论了Al组分阶梯渐变EBL结构对GaN基蓝光LD光电性能的影响机制.该结构设计将为外延生长高功率GaN基LD提供实验数据和理论支撑.
文献关键词：
GaN基蓝光激光二极管;电子阻挡层;Al组分;光电性能
中图分类号：
作者姓名：
杜小娟;刘晶;董海亮;贾志刚;张爱琴;梁建;许并社
作者机构：
太原理工大学 材料科学与工程学院, 山西 太原 030024;航天科工防御技术研究试验中心, 北京 100854;太原理工大学 新材料界面科学与工程教育部重点实验室, 山西 太原 030024;太原理工大学 轻纺工程学院, 山西 太原 030024;陕西科技大学 材料原子·分子科学研究所, 陕西 西安 710021
文献出处：
引用格式：
[1]杜小娟;刘晶;董海亮;贾志刚;张爱琴;梁建;许并社-.电子阻挡层Al组分对GaN基蓝光激光二极管光电性能的影响)[J].发光学报,2022(05):773-785
A类：
SiLENSe,Iny,AlxInyGa1,yN
B类：
电子阻挡层,GaN,蓝光激光,激光二极管,光电性能,Simulator,light,emitters,nitride,semiconductors,软件仿真,仿真研究,EBL,LD,高输出,电光转换效率,三角形,导带,势垒,价带,电子泄漏,空穴注入效率,有源,源区,载流子浓度,开启电压,光输出功率,mW,外延生长,高功率
AB值：
0.251306
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