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a-Si:H(p)/c-Si(n)异质结太阳电池的模拟优化
文献摘要：
通过AFORS-HET软件模拟了TCO/a-Si:H(p)/a-Si:H(i)/c-Si(n)/a-Si:H(i)/a-Si:H(n)/Ag结构的硅异质结电池中硅衬底电阻率、本征非晶硅薄膜厚度、发射极材料特性以及TCO功函数对电池性能的影响.结果表明:在其它参数不变的条件下,硅衬底电阻率越低,转换效率越高;发射极非晶硅薄膜厚度对短路电流有较大影响,发射极掺杂浓度低于7.0×1019 cm-3时,电池各项性能参数都极差;TCO薄膜功函数应大于5.2 eV,以保证载流子的输运收集.
文献关键词：
硅异质结;AFORS-HET;硅衬底;发射极;TCO薄膜
中图分类号：
作者姓名：
赵晓霞;田宏波;王伟;宗军;宫元波;杨文魁;宿世超
作者机构：
国家电投集团科学技术研究院有限公司, 北京 102209;国家电投集团新能源科技有限公司, 江西南昌 330200
文献出处：
引用格式：
[1]赵晓霞;田宏波;王伟;宗军;宫元波;杨文魁;宿世超-.a-Si:H(p)/c-Si(n)异质结太阳电池的模拟优化)[J].可再生能源,2022(03):313-317
A类：
衬底电阻
B类：
Si,异质结太阳电池,模拟优化,AFORS,HET,软件模拟,TCO,Ag,硅异质结,硅衬底,电阻率,非晶硅,薄膜厚度,发射极,材料特性,功函数,电池性能,其它参数,转换效率,短路电流,掺杂浓度,性能参数,极差,eV,载流子,输运
AB值：
0.340957
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