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背栅偏置对不同沟道长度PDSOI晶体管总剂量损伤规律及机理研究
文献摘要：
为研究辐照过程中施加背栅偏置对不同沟道长度部分耗尽绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Partily Depleted Silicon-On-Insulator Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors,PD SOI MOSFETs)电参数影响规律,及对隐埋氧化层(Buried Oxide,BOX)辐射感生陷阱电荷的调控规律及机理.基于晶体管转移特性曲线,通过提取辐射诱导晶体管阈值电压变化量,对比了不同沟道长度PD SOI在不同背栅偏置条件下的辐射损伤数据,试验结果显示:辐照过程中施加背栅偏置可以显著增强长沟晶体管的损伤.通过提取辐射在BOX层中引入陷阱电荷密度,结合TCAD(Technology Computer Aided Design)器件模拟仿真进行了机理研究,研究结果表明:短沟道晶体管在施加背栅偏置时会受到源漏电压的影响,从而使BOX层中电场分布及强度不同于长沟道晶体管,而长沟道晶体管受源漏电压的影响可以忽略.
文献关键词：
绝缘体上硅;隐埋氧化层;背栅调控;总剂量辐照
中图分类号：
作者姓名：
王海洋;郑齐文;崔江维;李豫东;郭旗
作者机构：
中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆电子信息材料与器件重点实验室 乌鲁木齐830011;中国科学院大学 北京100049
文献出处：
引用格式：
[1]王海洋;郑齐文;崔江维;李豫东;郭旗-.背栅偏置对不同沟道长度PDSOI晶体管总剂量损伤规律及机理研究)[J].核技术,2022(05):49-54
A类：
PDSOI,部分耗尽绝缘体上硅,Partily,Depleted,隐埋氧化层,背栅调控
B类：
沟道,道长,损伤规律,照过,金属氧化物半导体场效应晶体管,Silicon,On,Insulator,Metal,Oxide,Semiconductor,Field,Effect,Transistors,MOSFETs,电参数,参数影响规律,Buried,BOX,感生,陷阱,调控规律,转移特性曲线,阈值电压,电压变化量,偏置条件,辐射损伤,长沟,电荷密度,TCAD,Technology,Computer,Aided,Design,模拟仿真,漏电,电场分布,总剂量辐照
AB值：
0.336212
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