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聚合物电介质表面电荷积聚的根本原因
文献摘要：
聚合物电介质在使用过程中表面会积聚大量的电荷,导致局部电场畸变、闪络、爆炸和设备损坏等问题.由于造成电荷积聚的聚合物载流子深陷阱的主要构成目前仍不清楚,这一瓶颈问题目前仍未得到有效解决.本文基于开尔文探针力显微镜(KPFM)和磁力显微镜(MFM)观测了纳米微区聚合物自由基的电荷行为,发现自由基表现出深陷阱的特性.第一性原理计算发现出现自由基后的体系中存在深能级缺陷态.微观和宏观的电荷测量表明,清除自由基后的聚合物表面电荷量显著减少,这为聚合物电介质在诸多领域中的安全使用提供了有效的材料改性方案.本文首次揭示了电介质中的自由基是深陷阱,为后续关于聚合物电介质的电荷特性方面的研究提供了重要的理论指导.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
王天宇;李小芬;张博雅;李大雨;刘剑波;张贵新
作者机构：
文献出处：
引用格式：
[1]王天宇;李小芬;张博雅;李大雨;刘剑波;张贵新-.聚合物电介质表面电荷积聚的根本原因)[J].中国科学：材料科学（英文）,2022(10):2884-2888
A类：
B类：
聚合物电介质,表面电荷积聚,面会,电场畸变,闪络,设备损坏,载流子,深陷阱,一瓶,瓶颈问题,题目,开尔文探针力显微镜,KPFM,磁力,MFM,微区,第一性原理计算,深能级缺陷,缺陷态,电荷测量,清除自由基,电荷量,安全使用,材料改性
AB值：
0.327666
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