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CMOS兼容的晶圆级硅锥阵列局域化细丝形成以实现极佳阻变存储器均一性
文献摘要：
具有高密度三维集成特点的阻变存储器(RRAM)是下一代非易失性存储技术的有利竞争者之一.然而,导电细丝形成和断裂的随机性导致了RRAM均一性差的问题,这严重阻碍了RRAM芯片的大规模商用.目前,已有部分研究通过引入锥形结构,减少RRAM中导电细丝形成和断裂的随机性.但是,这些方法往往步骤繁琐、成本较高或分辨率有限,限制了这些技术的大规模推广.本研究提出了一种CMOS兼容的、可在纳米尺度调控的晶圆级硅锥阵列(SSA)制备方法.该方法可制备不同曲率半径的SSA,用于调控RRAM中的导电细丝.高分辨率透射电子显微镜和能量色散谱表征结果表明,SSA结构诱导器件在尖端区域形成准单根或少量的导电细丝,显著改善了器件转变参数的均一性.此外,减小尖端区域的曲率半径可显著提升器件转变电压和高/低阻态的分布均一性及器件阻态的保持特性等.器件转变参数均一性的改善归因于尖端区域内的局域电场增强效应.本研究所提出的SSA方法具备低成本、CMOS兼容且纳米尺度可控的特点,为高均一性RRAM器件的大规模集成提供了一种参考策略.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
张颖;赵晓龙;马晓兰;刘宇;周选择;张美芸;徐光伟;龙世兵
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[1]张颖;赵晓龙;马晓兰;刘宇;周选择;张美芸;徐光伟;龙世兵-.CMOS兼容的晶圆级硅锥阵列局域化细丝形成以实现极佳阻变存储器均一性)[J].中国科学：材料科学（英文）,2022(06):1623-1630
A类：
B类：
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AB值：
0.323893
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