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钨掺杂g-C3N4薄膜电极的制备及光电性能研究
文献摘要：
采用高温液相生长法制备了不同钨(W)掺杂量的W/g-C3N4薄膜电极,并通过SEM、XRD、FTIR、UV/vis DRS、XPS等手段对薄膜电极进行表征.结果表明,掺杂的W以W0、WO2和WO3等多种形态存在.将W/g-C3N4薄膜电极用作光阳极,进行交流阻抗测试、光电流密度测试以及降解亚甲基蓝实验,与g-C3N4薄膜电极相比,W/g-C3N4薄膜电极对可见光的响应能力明显增强,其中当Na2WO4与g-C3N4的掺杂比为1∶50时光电流密度可提高至原来的2.2倍.通过添加自由基捕获剂探究W/g-C3N4薄膜电极对亚甲基蓝的催化氧化机理,发现掺杂W之后,W/g-C3N4薄膜电极光生电子空穴对的分离效果提高,而且电子的迁移能力增强,因此光生电子能更多、更快地迁移到阴极铂丝,被O2捕获生成·O2-并最终生成·OH来降解亚甲基蓝;此外,WO3同样具有光催化活性,在可见光下可以生成光生电子空穴对,也可以提供电子被O2捕获并最终生成·OH来降解亚甲基蓝.
文献关键词：
石墨相氮化碳;钨掺杂;薄膜电极;光电性能
中图分类号：
作者姓名：
齐璠静;李一兵;赵旭;夏天
作者机构：
中国航天建设集团有限公司,北京100071;河北工业大学土木与交通学院,天津300401;中国科学院生态环境研究中心环境水质学国家重点实验室,北京100085
文献出处：
引用格式：
[1]齐璠静;李一兵;赵旭;夏天-.钨掺杂g-C3N4薄膜电极的制备及光电性能研究)[J].中国给水排水,2022(15):61-67
A类：
B类：
钨掺杂,C3N4,薄膜电极,光电性能,高温液相,相生,长法,FTIR,UV,vis,DRS,XPS,W0,WO2,WO3,光阳极,交流阻抗测试,光电流,电流密度,密度测试,试以,亚甲基蓝,可见光,响应能力,明显增强,Na2WO4,时光,自由基捕获剂,催化氧化机理,极光,光生电子,空穴,分离效果,迁移能力,阴极,铂丝,终生,来降,光催化活性,石墨相氮化碳
AB值：
0.302383
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