典型文献
富砷GaAs(001)-(2×4)重构表面光电发射性质
文献摘要：
采用密度泛函理论计算了 5种GaAs(001)-(2×4)重构表面的电子结构与光学性质,比较了不同GaAs(001)-(2×4)重构表面的表面能与功函数,分析了重构表面的能带结构和态密度.结果表明:β2(2×4)重构表面最稳定,具有最小的功函数;重构表面处的电子向材料体内运动从而形成表面能带弯曲区;材料通过改变表面电子分布平衡偶极子产生的电势,从而消除偶极矩使表面稳定.最后分析比较了 5种重构表面的吸收谱和反射谱,发现重构表面吸收系数与反射率小于体材料,透过率大于体材料,有利于光子透过表面从而激发体内电子.
文献关键词：
GaAs;重构表面;表面能;态密度;光学性质
中图分类号：
作者姓名：
鱼晓华;金祖德
作者机构：
运城学院物理与电子工程系,山西运城044000
文献出处：
引用格式：
[1]鱼晓华;金祖德-.富砷GaAs(001)-(2×4)重构表面光电发射性质)[J].扬州大学学报（自然科学版）,2022(01):25-31
A类：
B类：
GaAs,重构表面,表面光,密度泛函理论计算,电子结构,光学性质,表面能,功函数,能带结构,态密度,电子分布,偶极子,电势,偶极矩,吸收谱,面吸收,吸收系数,反射率,透过率,光子
AB值：
0.345159
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